日前，晶能成功制備了紅、綠、藍三基色硅襯底GaN基Micro LED陣列，在Micro LED全彩芯片開發上前進了關鍵一步。
微米尺寸的Micro LED制備已經脫離了普通LED工藝而進入了IC制程。大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優勢，已成為Micro LED制備的主流技術路線。在國際上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等公司都在專注于硅襯底Micro LED開發。主要消費電子產業巨頭更是在這一領域投入大量資源，以期在AR、VR等可穿戴設備的巨大市場中拔得頭籌。
Micro LED走向大規模應用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色Micro LED芯片。目前綠光和藍光的GaN材料體系已經成熟，并滿足Micro LED制程開發的要求。但對于紅光Micro LED，傳統的紅光AlInGaP體系因為其材料較脆和側壁上非輻射復合嚴重，面臨著良率和光效兩方面的重大技術瓶頸。所以，開發InGaN基紅光LED，特別是大尺寸硅襯底上InGaN基紅光LED被業界寄以厚望。
晶能的芯片總監黃濤介紹，本次的硅襯底InGaN紅、綠、藍Micro LED陣列的像素點間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長）為3.5%，EL的半高寬為70nm。晶能這一成果發布，標志其成為國內首家實現硅襯底GaN基三基色Micro LED的企業。
圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列
晶能外延副總裁付羿表示，晶能一直專注硅襯底GaN基LED技術開發，十余年來持續引進人才以保證硅襯底GaN產業技術升級迭代。目前晶能的硅襯底GaN基LED產品已經覆蓋了從365nm到660nm的可見光范圍，并且實現了優秀的量產良率、波長集中度、光效、和可靠性。2018年，晶能開始硅襯底micro LED開發。付羿表示，晶能非常重視硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產業上的巨大應用前景，但必須要持續努力去解決諸如InGaN紅光光效、發光半高寬、和最終的全彩化方案等關鍵問題，而且需要整個產業鏈的協同，才能實現Micro LED顯示技術的規模應用。
圖為硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜
圖為36mil尺寸硅襯底GaN基紅光LED光譜
