雖然東芝和普瑞光電合作僅數月,他們已經對外公布在8英寸矽襯底生長出高品質的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。 合作中,東芝除了提供自己先進的矽制造工藝和一些生產技術的研發支持外,東芝還對普瑞光電進行了股權投資,看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。
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雖然東芝和普瑞光電合作僅數月,他們已經對外公布在8英寸矽襯底生長出高品質的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。 合作中,東芝除了提供自己先進的矽制造工藝和一些生產技術的研發支持外,東芝還對普瑞光電進行了股權投資,看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。
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